Игольчатый полевой транзисторный детектор

Источник питания: ±5 В

Ключевые слова:

Изображения и текстовые подробности

■ Особенности

● Источник питания: ±5 В

● Факультативное входное сопротивление: от 20 кОм до 1200 кОм

● Дополнительные комплекты: металлический 8-контактный, керамический 8-контактный, керамический 6-контактный

■ Приложение

● Система оптоволоконного гироскопа;

● Оптоволоконная система сбора данных;

● Системы оптической связи;

● Система оптической когерентной томографии с использованием оптоволокна;

■ Спецификации

Таблица 1: Типичные параметры

Параметр		Шумовое напряжение (мВ)	Чувствительность к напряжению (В/мкВт)	Пропускная способность (МГц)	Чувствительность (дБм)	Динамический диапазон (дБ)
Символ		Вьетнам	Повторно	Ткань	Стик	Ди
Тестовые условия (Vss = -5 В, Vcc = +5 В, от -45°C до 70°C)		φin = 0 мкВ	φin = 1 микроват	-	f = (10 ± 0,1) кГц
Длина волны (нм) Взаимная импеданс (кОм)	1550/20	≤0,6	≥0,017	≥20	≤-35	≥25
	1550/40		≥0,034	≥15	≤-40
	1550/60		≥0,051	≥11	≤-41
	1310/100		≥0,085	≥7	≤-45
	1310/200		≥0,17	≥10	≤-46
	1310/400		≥0,34	≥5	≤-49
	1310/500		≥0,425	≥4	≤-50
	1310/800		≥0,68	≥3	≤-52
	1310/1200		≥1,02	≥1,5	≤-53