Антимагнитный фотодиод HTW1104B-1
Диапазон длины волны: 400 нм – 1100 нм
Ключевые слова:
Антимагнитный фотодиод HTW1104B-1
Изображения и текстовые подробности
■ Особенности
● Кремниевый PIN-фотодиод
● Диапазон длин волн: 400 нм – 1100 нм
● Чувствительный диаметр: Ø3,5 мм
● Напряжение пробоя: ≥50 В
● Низкий ток утечки
● Высокая чувствительность
● Антимагнитизация
● Низкозатратная COB-упаковка
■ Применение
● Квантовый гироскоп, лазерное зондирование, безопасный мониторинг
● Ближняя инфракрасная детекция, лазерный дальномер
■ Спецификации
Таблица 1: Типичные параметры
| Параметр s | Символ | Т Эти условия (Та = 23℃, λ = 850 нм, VR = 10 В, Pin = 1 мкВт) |
Минимальный | Типичный | М Ось | Ты Азот s |
| Чувствительный диаметр | Д | -- | -- | Ø3,5 | -- | Миллиметр |
| Пиксель | P | -- | -- | 1 | -- | -- |
| Диапазон длины волны | λ | -- | 400 | 850 | 1100 | Нано |
| Пробивное напряжение | VBR | -- | 50 | 120 | -- | В |
| Чувствительность | Повторно | VR = 10 В | 0.45 | 0.55 | -- | A/W |
| Темный ток | Идентификатор | Темный фон | -- | 10 | 15 | Наан |
| Конденсаторная ёмкость | Cj | VR = 10 В, f = 1 МГц | -- | 10 | 15 | Пифагор |
| Пороговое напряжение | ВФ | IF = 5 мА | -- | 0.6 | 0.75 | В |
Примечания: 1. Убедитесь, что продукт хранится в сухом, герметичном и азотированном помещении.
2. Изделие необходимо использовать в герметичной и сухой среде;
■ Размеры
