Фотодиод HTM11R8ET52-1 APD
Диаметр чувствительной области: Φ800 мкм
Ключевые слова:
Фотодиод HTM11R8ET52-1 APD
Изображения и текстовые подробности
■ Особенности
● Кремниевый APD-фотодиод
● Диапазон длины волны: 400 нм ~ 1100 нм
● Диаметр чувствительной области: Φ800 мкм
● Высокое пробивное напряжение: ≥300 В
● Низкий ток утечки
● Высокая чувствительность
● TO52 герметичная упаковка
■ Применение
● Измеритель оптической мощности, лазерный измеритель, мониторинг безопасности
● Ближняя инфракрасная детекция, лазерное измерение расстояния, оптическая связь
■ Спецификации
Таблица 1: Типичные параметры
| Параметр Россия | Символ | T Эти условия (Та = 23℃, λ = 1064 нм, M = 100, Pin = 1 мкВт) | Минимальный | Т типичный | Ось M | Ты азот s |
| Чувствительный диаметр | Д | -- | -- | 0.88 | --- | Миллиметр |
| Диапазон длины волны | λ | --- | 400 | --- | 1100 | Нано |
| Пробивное напряжение | VBR | IR = 10 мкА | 300 | -- | -- | В |
| Чувствительность ① | Повторно | --- | 30 | 36 | -- | A/W |
| Темный ток | Идентификатор | Темный фон | -- | 5 | 12 | Наан |
| Конденсатор соединения ② | КТ | f = 1 МГц | -- | 2.5 | 4.0 | Пифагор |
| Температурный дрейф VBR | δ | -- | -- | 2.4 | 3.0 | В/℃ |
| Прямой ток | Если | -- | -- | -- | 1 | Миллиампер |
| Путь перемещения ③ | -- | -- | 1.24 | --- | Миллиметр |
Примечание:
① Для достижения M=100 рекомендуется устанавливать рабочее напряжение VR = 0,8–0,85 × VBR;
② При рабочем напряжении VR > 55 В емкость перехода практически меньше 5 пФ;
③ Расстояние перемещения = расстояние между наружной поверхностью окна и светочувствительной поверхностью; материал окна — DM305, толщина — 0,5 мм.
■ Характеристики
Рисунок 1: Зависимость чувствительности от длины волны
Рисунок 2 Умножение и VR